ОЧИСТКА АЛМАЗОВ
А.Л. Верещагин, И.С. Ларионова
Окончательной и наиболее сложной стадией с точки зрения химии в процессе получения алмазов является их очистка. Выбор режимов очистки определяется реакционной способностью алмазов и составом содержащихся примесей. Главная задача процесса - выделение целевого продукта с минимальными потерями. Относительно высокая химическая стабильность фазы алмаза позволяет сделать этот процесс достаточно эффективным. Однако, использование тех или иных методов и сред будет определяться в первую очередь реакционной способностью алмазной фазы, так как алмазы различаются по реакционной способности в зависимости от условий их синтеза и дисперсности.
Известно, что химическая стойкость синтетических алмазов к воздействию минеральных кислот и жидкофазных окислителей снижается с уменьшением размеров алмазного зерна
[1].Поэтому, если расположить в ряд алмазы по возрастанию реакционной способности, то наименее реакционноспособными должны быть природные алмазы, а наиболее -ультрадисперсные алмазы из продуктов детонации взрывчатых веществ. Промежуточное положение между ними занимают алмазы статического и динамического синтеза. В этой последовательности и рассмотрим методы их очистки. Предварительно необходимо отметить также, что в абсолютном большинстве работ в этой области предполагается инертность алмаза по отношению к минеральным кислотам. Однако это не применимо к микропорошкам алмаза и еще в 1936 году В.С.Веселовский указал, что соединения шестивалентного хрома в среде серной кислоты окисляют мелкодисперсные природные алмазы
[2], а Ф.С. Финнеем показано, что микропорошок синтетического алмаза растворяется при взаимодействии с 72%-ной хлорной кислотой [3].Очистка ювелирных алмазов
Очистка ювелирных алмазов протекает в несколько стадий [4]:
Использование таких агрессивных сред предъявляет и очень жесткие требования по отношению к материалу автоклава - внутри он должен быть покрыт фторопластом, танталом или платиной [5,6].
Исследование химического состава поверхности природных алмазов методами рентгеноэлектронной и ИК-спектроскопии после окислительной обработки дало следующие результаты
[7]. Обработка кипящей 30% H2O2, SO2 при 573 K и кислородом с примесью 2-5% О3 при такой же температуре приводит, по мнению авторов, к образованию карбонильных групп на поверхности алмаза.Рекуперация технических алмазов
Для очистки алмазов, извлеченных из металлорежущего инструмента, используют также многостадийный процесс, например
[8]:Известны также способы извлечения алмазов из отработанного инструмента и пылевидных отходов с использованием водных растворов хлоридов меди или железа для растворения металлической составляющей [9].
Металлическую матрицу можно удалить
и анодным растворением [10].Очистка синтетических алмазов статического и динамического синтеза.
Порошкообразная смесь графита и алмаза, образовавшаяся в процессе синтеза, имеет различные физические и химические свойства. Алмазы, полученные статическим методом, имеют больший размер частиц, чем динамическим методом, и представляют собой монокристаллы. Взрывные алмазы - это частицы размером 20-30 мкм, которые состоят из поликристаллов, имеющих сложную форму поверхности. Алмазы, полученные динамическими методами, характеризуются более высокой реакционной способностью.
Синтетические алмазы извлекаются из реакционной смеси в три этапа [11]. На первом этапе растворяют металлические примеси, на втором - графит, на третьем - кремний и его соединения.
Это связано с тем, что, как правило, при синтезе алмазов статическим методом не происходит полного превращения исходного графита в алмаз и получается их смесь. Она содержит и технологические примеси катализаторов синтеза - железо, кобальт или никель для алмазов статического синтеза и медь или железо для алмазов динамического синтеза.
Отделение металлов
Эти металлы могут быть относительно легко удалены обработкой минеральными кислотами, чаще всего используют растворы соляной кислоты [12]. При очистке алмазных микропорошков [13] и извлечении металлических катализаторов из продуктов синтеза алмаза [14] применялась смесь соляной и азотной кислот. В патенте ПНР рекомендована обработка азотной кислотой [15], а в [16] - смесью азотной и хлорной кислот. Согласно ГОСТ 9206-80 при определении растворимых примесей в алмазных порошках используется их кипячение в 57%-ной хлорной кислоте в течение 2,5 часов.
Отделение неалмазной углеродной фазы
В результате статического синтеза образуется спёк, в котором прочно связаны частицы алмаза и графита. В этой смеси частицы алмаза и графита имеют различные размеры и плотности. Поэтому для разделения такой смеси можно использовать физические и химические методы.
Предложено удалять графит и другие неалмазные фазы углерода в процессе формирования синтетических алмазов лазерным излучением соответствующей длины волны, мощность которого достаточна для испарения графита и других углеродных образований [17].
Физический метод разделения основывается на использовании различий в их плотности с использованием жидкости с промежуточной плотностью между плотностями алмаза и графита. Так, в
[18] смесь графита с алмазом помещалась в водный раствор бромида цинка с плотностью 2430-2800 кг/м3 и после перемешивания и выдержки в течение 20 минут отделялась нижняя фракция, обогащенная алмазом. Графит находился на поверхности раствора. Эффективное использование этого метода требует предварительного разделения спёков на отдельные частицы алмаза и графита. Те же самые соображения можно отнести и к разделению смеси алмаза с графитом методом флотации [19] с использованием в качестве дисперсантов пирофосфата и гексаметафосфата натрия [20].В связи с этим предпочтение отдаётся химическим методам очистки. Химические методы очистки заключаются в нагревании смеси графита с алмазом вместе с окислителем в условиях, обеспечивающих окисление и удаление графита. Химические методы могут быть разделены на сухой и влажный процесс.
В сухом процессе имеется несколько вариантов его осуществления.
Самый простой из них - это окисление кислородом воздуха при температуре 773-873
K за счет большей скорости окисления графита, чем алмаза [21]. При этом потери алмаза могут составлять 10%. Фазу графита можно удалить и обработкой в плазме тлеющего разряда [22]. Применение этого метода основано на том, что алмаз при 773 K не газифицируется в водородной плазме тлеющего разряда, когда как неалмазный углерод газифицируется. Исследования показали, что в воздушной плазме тлеющего разряда удельная скорость газификации графита на 3-4 порядка превышает удельную скорость газификации алмаза [23]. Обработка этим методом отходов производства алмазов с содержанием алмаза до 3% позволило повысить их содержание до 97-99% за 9-10 часов обработки [22].В сухом методе порошкообразная смесь алмаза и графита окисляется на воздухе в присутствии оксида свинца как катализатора при температуре 623-823 K в течение
12-65 часов. Затем производится удаление оксидa свинца кислотной промывкой [24].Использования оксидов свинца можно избежать, если использовать вместо кислорода озоно-воздушную смесь при температуре 393-
673 K [25] или вводить соединения ванадия в качестве катализатора окисления графита и процесс окисления проводить на воздухе при температуре 663-923 K [26]. Можно также вводить в шихту раствор медной соли(ацетат), разлагающейся при нагревании с образованием катализатора - высокодисперсного оксида меди, и окисление графита проводить прокаливанием полученной смеси на воздухе при температуре £ 813 K в течение 6-8 часов, с последующим отделением соединений меди соляной кислотой. Выход алмаза составляет 90% [27].Известен также метод сухой очистки с использованием нитрата аммония в качестве окислителя с катализаторами ускорения его разложения - оксидами свинца, магния или цинка. За счет использования катализаторов процесс окисления графита происходит при
393-433 K в течение 30 минут. Однако однократное применение этого способа не приводит к полному удалению графита и эта операция производится 10 раз [28]. Проведение процесса при повышенном давлении могло бы повысить производительность этого метода. В этой же работе показано, что практически не один из процессов сухой или влажной очистки не позволяет провести полное отделение алмаза от графита за одну стадию в лабораторных условиях и требуется неоднократное повторение процесса для получения алмаза без примеси графита.Гораздо большее распространение получил влажный процесс, или метод жидкофазного окисления графита
[10,11,29] смесью кислот или смесью кислот с окислителями (азотная кислота с хлорной [16], хлорная кислота с вольфраматом аммония [30]). Применение хлорной кислоты ограничено из-за образования взрывоопасности её смесей с графитом при нагревании. Помимо этого хлорная кислота окисляет и фазу алмаза [21], поэтому её использование для целей очистки весьма проблематично. Использование нагретой до 353 K смеси азотной кислоты с гипохлоритом натрия позволило окислить не только графит, но и 15% алмазов.Достаточно подробно было изучено и окисление графита смесями, содержащими хромовую кислоту
[10,11,29]. Обработка смеси неперекристаллизовавшегося графита с алмазом смесью бихромата калия с концентрированной серной кислотой в течение 4 часов при температуре 893 K привело к полному удалению графита и к 5%-ной потери алмазов. Однако, использование соединений шестивалентного хрома представляет серьёзную экологическую проблему. Дальнейшим продолжением этого метода можно считать электролитическое удаление с поверхности алмаза слоя НФУ. Для этого предложено помещать алмаз в раствор электролита из CrO3 с H3BO3, NH4OH и H2SO4 и проводить электролиз при плотности тока 100 мА/см2 и напряжении 1-200 В/см [31].В жидкофазном окислении опробованы также смеси концентрированной серной кислоты с перманганатом калия и
Ag2Cr2O7, смесь K2Cr2O7 и H3PO4, и концентрированной H2SO4, KIO3 и концентрированной H3PO4 или смеси HNO3 , хлората и водного раствора пероксида водорода [11].У всех этих процессов есть достоинства и недостатки. Например, использование концентрированной ортофосфорной кислоты осложнено высокой вязкостью реакционной смеси, применение серной кислоты требует высокой температуры, что делает все операции с такой смесью опасными; при использовании
KIO3 выделяется большое количество йода.Также экологически небезопасен и двустадийный способ очистки алмазов статического синтеза
от непрореагировавшего углеродного материала без применения традиционных окислителей, запатентованный компанией Дженерал Электрик [32]. На первой стадии растворяется в жидком броме непрореагировавший графит, а на второй -удаляется катализатор синтеза растворением в минеральной кислоте либо электролизом.Извлечение алмазного порошка из шлифовальной пыли при обработке керамики алмазными шлифовальными кругами требует другого метода очистки, поскольку здесь примесями являются силикаты и оксиды алюминия. Для извлечения алмазов пыль сплавляется с бурой в неокислительной атмосфере. Затем смесь растворяется в кислоте, а в полученном остатке содержатся частицы алмазов
[33].Для удаления алмазов и других абразивных материалов из металлической матрицы (кобальт) предложено растворение полировальных кругов в автоклаве в азотной кислоте или в смеси серной и азотной кислот в атмосфере с повышенным содержанием кислорода
[34].Следует отметить, что окислительная очистка изменяет характер поверхности частиц алмаза и из гидрофобной она становится гидрофильной, т.е. практически всегда имеет место окисление поверхностных атомов углерода [35].
Для повышения прочности поликристаллических алмазов перед процессом их спекания фракционированные частицы подвергают комплексной кислотной обработке: сначала кипящей хлорной кислотой, затем смесью соляной и азотной кислот и после этого плавиковой кислотой
[36].Таким образом, очистка синтетических и природных алмазов заключается в удалении жировых загрязнений, механических примесей. Отделение технологических примесей требует использования химических методов: непрореагировавший графит отделяют газо- или жидкофазным окислением, примеси металлов удаляются растворением в кислотах.
Тонкая очистка алмазных порошков
Синтетические алмазные порошки, несмотря на достаточно жесткие методы очистки, содержат сравнительно большое количество примесей
и включений [37]. Поэтому по ГОСТ 9260-80 допускалось содержание растворимых примесей до 1-1,5%. Для алмазов марок АС2, АС4 и АС6 это в основном примеси Ni - до 0,60%, Mn - до 0,4%, Si, Fe, Cr, Al - 0,01-0,2%. Удаление этих примесей обычно проводят обработкой минеральными кислотами или их смесями. Для очистки от включений используют термообработку [13,38]. Термическая обработка алмазов в вакууме снижает содержание примесей в алмазе до 0,001%. Сочетание термообработки в атмосфере водорода с последующей трехстадийной химической очисткой позволяют получать алмазы высокой степени чистоты. Потеря массы порошков при этом доходит до 6,9%. Для получения порошков с высоким удельным сопротивлением используется электрохимическая очистка [21].Описан также процесс дополнительной очистки алмазов статического синтеза путём окислительной обработки в атмосфере диоксида углерода
в течение 25-35 мин при 873-1173 K в присутствии карбонатов, бикарбонатов или гидроксидов натрия или калия с последующей обработкой соляной кислотой и нагреванием в атмосфере метана при 773-873 K в течение 1-2 ч [39].Очистка ультрадисперсных алмазов детонационного синтеза
Ультрадисперсные алмазы детонационного синтеза вследствие очень малого размера частиц и большой удельной поверхности обладают максимальной реакционной способностью среди синтетических алмазов. К тому же вследствие особенностей проведения синтеза (взрывная камера) - они имеют специфический набор примесей. Кроме фазы ультрадисперсного алмаза (до 60 масс.%) вместе с неалмазными фазами углерода (до 90 масс.%), они содержат оксиды и карбиды железа, металлическое железо и ряд других примесей (до 20 масс.%) [40]. Если условия проведения подрыва не обеспечили полноту детонации, то можно обнаружить методом дифференциальной сканирующей калориметрии и неразложившееся взрывчатое вещество (тринитротолуол по его плавлению при 353 K). К тому же необходимо учесть чрезвычайно высокую удельную поверхность детонационных алмазов, наличие большого числа поверхностных функциональных групп (главным образом карбоксильных [41]) и наличие адсорбированных газов при сверхмалом размере частиц УДА. Поэтому выделение фазы алмаза представляет собой достаточно сложную проблему.
Очистка детонационных алмазов от металлических составляющих и неалмазных форм углерода
В ОИХФ (Черноголовка) для удаления непревращенного углерода из продуктов детонации смеси гексогена с сажей или графитом использовали [42] последовательное кипячение твёрдых продуктов детонации с азотной и хлорной кислотами. Полученный остаток обрабатывали кипящим раствором эквимолярной смеси гидроксидов натрия и калия для удаления примесей силикатов с последующей промывкой водой при центрифугировании.
В работе Грейнера [43] для очистки ультрадисперсных алмазов из продуктов детонации взрывчатых веществ использовали метод, опробованный для выделения метеоритных алмазов [44]. Он заключается в обработке смесью 57%-ной HClO4 и 98%-ной HNO3 в массовом соотношении 9:1 из расчета 20 г смеси кислот на 1 г конденсированных продуктов детонации с последующим кипячением в течение 1,5-2 часов. Следует отметить, что промывку полученного ультрадисперсного алмаза следует проводить очень тщательно, так как хлорная кислота, содержащаяся в УДА, превращает его во взрывоопасное вещество. Этот метод был применен и для выделения алмазной фазы в институте Гидродинамики СО РАН [42] из продуктов детонации смеси тротила с гексогеном.
Для очистки УДА использовали смесь олеума с азотной кислотой или нитратом аммония или щелочного металла
[46]. Установлено, что энергия активации процесса окисления шихты составляет 95,6 кДж/моль.Отделение неалмазного углерода и металлических примесей от УДА описано с помощью смеси серной и хромовых кислот
[47]. Применение для промывки алмаза горячей дистиллированной воды позволяет снизить содержание металлических примесей в алмазе до 0,9% , а содержание основного вещества повысить до 98,5%.В НПО “Алтай” разработаны несколько окислительных систем для выделения УДА
c целью создания промышленной технологии их очистки [48]. В частности, экспериментально изучены системы: HNO3-H2SO4-SO3; HNO3-H2SO4; HNO3-H2SO4-H2O ;HNO3-H2O2-H2O; H2O2-H2O-катализатор; O2-H2O- катализатор ;HNO3-H2O.В
[49] описана двухстадийная очистка УДА. На первой стадии за счёт обработки с 5-20% раствором азотной кислоты при 323-373 K удаляют примеси металлов, а на второй стадии неалмазные формы углерода. Для этого в проточном реакторе продукт, полученный в первой стадии, обрабатывают окислительной серно-азотной или нитроолеумной смесью в проточном реакторе. В результате получается продукт, содержащий 2,5% несгораемых примесей и 2,7% неалмазных форм углерода.В последующей работе этих авторов
[50] в целях снижения расхода кислот и повышения безопасности процесса предложено производить процесс очистки от неалмазных форм углерода нитроолеумной смесью в три стадии. При этом содержание окисленных форм углерода составляет 1,2%, а несгораемых примесей - 1,7%.Для создания более мягких условий выделения частиц УДА и повышения их выхода в процессе использовали смесь концентрированных серной и азотной кислот при массовом модуле 1:25 с периодической подачей азотной кислоты
[51]. Выход УДА составляет 45-61%.Использование смесей с серной кислотой осложнено её заметной адсорбцией на поверхности выделенных алмазов. Поэтому для ряда применений требуется специальная обработка для удаления серной кислоты или её аммонийных солей, если нейтрализация реакционной смеси на фазе очистки проводилась аммиаком. Для этого необходимо прогревать выделенный алмаз при температуре выше температуры кипения серной кислоты. Этих операций можно избежать, если проводить окисление неалмазных форм углерода смесями, не содержащими серную кислоту. Так, в
[52] описан процесс очистки УДА от неалмазного углерода смесью пероксида водорода с азотной кислотой под давлением 2 - 10 MПа в автоклаве при температурах 453-553 K в присутствии катализатора - солей металлов переменной валентности. Известен и процесс очистки одной азотной кислотой с массовой долей 40-90% при массовом модуле 6-14 при температуре 453-533 K и давлении 2-10 МПа в течение 5-90 минут [53].Этот же процесс предложено проводить и в две стадии: сначала концентрированной (50-99%) кислотой при
353-453 K, а затем разбавленной (10-40%) - при температуре 493-553 K и давлении 8-8,5 МПа [54]. При этом содержание окисленных форм углерода составляет 0,7-0,8%, несгораемых примесей - 0,9-1,0%. Описано также удаление УДА от неалмазных форм углерода с помощью растворов нитратов щелочных металлов в аппарате высокого давления при 593-673 К [55].Было показано, что борный ангидрид в составе стёкол обладает отрицательным каталитическим действием на процесс окисления алмазов статического синтеза водяным паром и диоксидом углерода
[56]. Позже установили, что борный ангидрид ингибирует окисление и УДА кислородом воздуха при температуре 573-823 K [57].Реально осуществимо и окисление неалмазных форм углерода от УДА окислением кислородом воздуха при повышенной температуре, так как неалмазный углерод начинает окисляться при 573 К, а ультрадисперсный алмаз - при 573 K
[58]. Однако использование только газофазной очистки не позволяет избавиться от несгораемых примесей железа, которые обязательно сопутствуют продукту, полученному в детонационной камере. И этот метод может обеспечить высокую чистоту алмазов при отсутствии несгораемых примесей в исходном материале.Значительного снижения содержания металлических примесей в УДА можно добиться при проведении подрыва в среде, не содержащей металлов, например в бассейне или в соляной шахте, или при подрыве заряда в водной оболочке
[59], при этом содержание несгораемых примесей снизилось с 5-7 до 0,1-0,3 масс.%. Однако такие предложения ещё не получили технического воплощения.Тонкая очистка ультрадисперсных алмазов
Для очистки порошка УДА от поверхностных примесей предложено [60] подвергнуть его обработке водным раствором пероксида водорода с массовой долей 5-30% под давлением 2-10 МПа при температуре 423-523 K. Благодаря этому вдвое снижается объём десорбированных газов с поверхности УДА и удаляются примеси кремния, кальция, серы, калия и железа. В результате получаются высокоомные порошки УДА с удельным электрическим сопротивлением 1011-1012 Ом [61].
Такие же по качеству алмазные порошки получаются и при ионообменной очистке
[62]. Для этого разбавленная водная суспензия УДА (0,01-2,00 масс.%) пропускается через катионитную (КУ-2) и анионитную (AB-17-8) колонки. При этом потери сокращаются до 4-5%, а содержание несгораемых примесей снижается до 0,5-1,0 масс.%. Однако эти иониты не работают в сильнокислой среде. Используя иониты, способные работать в сильнокислой среде, можно было бы избежать стадии разбавления или нейтрализации и непосредственно очищать алмазы после стадии кислотной очистки.Удалить адсорбированные газы можно и за счет термообработки при высокой температуре в газовой среде, нейтральной по отношению к углероду, (в водороде, аргоне, диоксиде углерода)
[63]. Но полностью устранить газовыделение у УДА невозможно, так как карбоксильные группы доминируют на поверхности детонационных алмазов [64].Описана дополнительная очистка УДА от железа с использованием комплексообразователя - 1-оксиэтилиденфосфоновой кислоты
[65].Выделение ультрадисперсных алмазов из водных суспензий
Значительные потери мелких фракций алмазов технических алмазов происходят на окончательной стадии промывки их водой [66].
Принимая во внимание сверхмалые размеры частиц УДА, отделение воды от них также представляет сложную проблему. Для этого предложено коагулирование частиц ультрадисперсных алмазов проводить путем кипячения водной суспензии при температуре
354-463 K и давлении 49-1200 кПа в течение 5-15 минут [67] или путём электрокоагуляции [68]. Для выделения УДА из воды предложено использовать ультрафильтрацию при скорости суспензии в каналах ультрафильтра 2-6 м/с при давлении (0,5-6,0).105 Па и температуре 293-363 K [69].Используя этот метод мембранной ультрафильтрации для отмывания поверхности ультрадисперсных алмазов, удаётся полностью выделять растворитель вместе с растворенными примесями из седиментационно устойчивых дисперсий, что полностью исключает потери алмаза с промывными водами. Что, в свою очередь, позволяет производить замену дисперсионной среды чистым растворителем. Использование электродиализа позволило при pH=7 достигнуть содержания анионов не более 10
-6 моль/л [70]. Установлено также, что промывание горячей водой почти вдвое снижает расход воды на отмывание ультрадисперсных алмазов[71]. Вследствие высокой структурирующей способности УДА по отношению к воде мембранная очистка эффективна при концентрации УДА не более 2-3% и температуре 333-353 K.Скорость процесса сушки таких суспензий можно повысить, если использовать распыление нагретой суспензии через форсунку высокого давления
[72].Таким образом, для эффективной очистки ультрадисперсных алмазов потребовалось использование процессов под давлением, ионообменной очистки, а также разработать принципиально новые подходы для выделения мелкодисперсных алмазов из устойчивых водных суспензий, которые используются в коллоидной химии. Эти методы впервые применены в технологии очистки алмазов. Следует отметить, что разрабатываемые в последнее время процессы очистки ультрадисперсных алмазов становятся экологически более чистыми - предпочтение отдаётся таким окислителям как пероксид водорода и кислород воздуха.
ЛИТЕРАТУРА
1.
Крук В.Б. Химическая стойкость синтетических алмазов к воздействию минеральных кислот и жидкофазных окислителей // Синт. алмазы. Научн.-произв. сб. 1975.-вып.3(39).-С.13-15.2.
Веселовский В.С. Углерод, алмазы, графит и угли и методология их исследования.-М.-Л.: ОНТИ, 1936.-176 с.6.
7.Copperthwaite R.S. Surface analysis of chemically treated diamonds // S. Afr. J. Chem. 1982.-V.35.-
№ 4.-P.181-182.8.Chio Shiu-Shin Shank diamond cleaning // US Patent
№ 4339281 from Jul.13,1982.9.
Охаси Кендзи,Сугияма Макото, Маэда Осами. Извлечение алмаза из отработанного алмазного инструмента // Пат.56-5684 Япония от 06.02.198110.
Куприна Р.В., Верховлюк Т.В. Экологически чистый технологический процесс извлечения алмазов и вольфрама из отработанного бурового и режущего инструмента // ЖПХ 1995.-Т.68.-№ 10.-С.1735-1737.11.
Путятин А.А., Никольская И.В., Калашников А.Я. Химические методы извлечения алмазов из продуктов синтеза // Сверхтвердые материалы.-1982.-№ 2.-С.20-28.12.
Крук В.Б., Лепихова Т.Г., Важнев В.П. Очистка синтетических алмазов от примесей // Синтетические алмазы.-1974.-Вып.2.-С.11-13.13.
Богатырёва Г.П., В.Б.Крук, Невструев Г.Ф., Билоченко В.А. Термохимическая очистка алмазных микропорошков // Сверхтвердые материалы.-1982.-№ 3.-С.29-32.14.Kalalova E., Kovarova Z. Pouziti ionexu Ostion KS v procesu regenerace katalyticky aktivnich kovu z vyroby sintetickych diamantu // Chem. prumysl.-1984.-Sv.34.-S.241-243.
15. Panczyk J., Majewski J., Kuyawski E., Brandel W., Brzozowski E., Pankowska Sposob oddzielania zanieczyzczen od diamantu //
Патент ПНР №112068 опубликован 30.12.81.16.Yamaguchi Shigeto, Setaka Nobuo Synthesis of diamond // J.Electroch. Soc.-1980.-vol.127,
№1.-Р.245-246.17.Pinneo J.M. Method for suppressing growth of graphite and other non-diamond carbon species during formation of synthetic diamond // US Patent
№ 4849199 from 18.07.89.18. Ciurla Z. Sposob oddzielania diamentov syntetycznych od graphitu i urzadzenie do oddzielania diamentov syntetycznych od graphitu //
Патент ПНР № 123779 , опубликован 31.01.84.19.
Гричук И.М. Способ извлечения алмазов из продуктов синтеза // Патент Российской Федерации № 2027666 от 27.01.95.20.Nakachiro Y., Wakabayashi S., Waiporo D., Kusaka E., Ninae M., Wakamatsu T. Action some depresants on removal untransformed graphite flotation method in prosses of diamond synthesis // J.Mining and Mater. Process Inst. Japan 1995, v.111,-
№ 2, P.92-96.21. Albrecht S., Kessler G., Herrman E., Grosse G. Verfaren zum Trennen von Kohlenstoffphasen // Patent DDR
№224575, aus 10.07.85.22.
Сандомирская О.А., Беженарь Н.П., Шишкин В.А. Очистка поверхности поликристаллов сверхтвердых материалов от графита // Сверхтвёрдые материалы.- 1982.-№6.-С.12-14.23.
Федосеев Д.В., Толмачёв Ю.Н., Буховец В.Л., Внуков С.П. О кинетике окисления алмаза и графита в тлеющем разряде // Ж. физ. химии 1979.-Т.53.-№ 8.-С.2189.24.E.I. du Pont de Nemours and Co. Selective oxidation of graphite from mixture thereof with diamond // Irish Patent
№ 29574 from 4.11.70.25.
Павлов Е.В., Скрябин Ю.А. Способ удаления примеси неалмазного углерода и устройство для его осуществления // Патент Российской Федерации № 2019502 от 15.09.9426.
Гордеев С.К., Жуков С.Г., Кобзарь А.М., Вартанова А.В., Семёнов С.С. Способ обогащения алмазом его смесей с графитом или аморфным углеродом // Патент Российской Федерации № 2036138 от 27.5.95.27.Albrecht S., Keb ler G., Herman E., Grob e G. Verfahren zum Trennen von Kohlenstofffphasen // Patent DDR
№ 224575 aus 10.07.85.28.Kuroyama Y., Araki M, Method for purifying diamond // US Patent
№ 4578260 from Mar. 25, 1986.29.
Исаев Р.Н. Способы извлечения алмазов из различных материалов и методы их очистки // Сверхтвердые материалы.- 1989.-№ 2, С.30-34.30.
Богатырёва Г.П., Крук В.Б., Сохина Л.А. Определение содержания алмазов в алмазосодержащих материалах // Синтетические алмазы.- 1974.- вып.5.-С.19-21.31.Marchywka M.J. Electrochemical process and product therefrom // US Patent
№ 5269890 from 14.12.93.32.Wu Mu-Sheng Process for recovering synthetic diamonds from pressed runs // US Patent
№ 3969489 from Jul.13,1976.33.Stevens D. N. , Bisque R. E. , Bloom D. N. Process for the recovery of diamond particles from alumina or silicates wastes // US Patent
№ 3644094 from Feb.22,1972.34.Schlimmer J.F., Karlsson B.A., Process using an acidic medium containing nitric acid // US Patent
№ 5324496 from Jun. 28, 1994.35.
Богатырёва Г.П., Крук В.Б. О гидрофильности синтетических алмазов // Синтетические алмазы.-1977.- вып.№1, С.10-12.36.
Богатырёва Г.П. Исследование гидрофильности и гидрофобности поверхности синтетических алмазов // Сверхтвёрдые материалы.-1980.-№ 2, С.23-27..